Warning: mkdir(): No space left on device in /www/wwwroot/Z1.com/func.php on line 117

Warning: file_put_contents(./cachefile_yuan/0359qcw.com/cache/d5/812e6/f92b9.html): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/Z1.com/func.php on line 105
半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900-北京葫芦娃黄色网站儀器有限公司

葫芦娃黄色网站,葫芦娃污APP,葫芦娃视频APP黄,葫芦娃污视频下载

產品展示

您現在的位置:首頁>產品展示>工業分析>半導體光學參數檢測

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

  • 產品型號:
  • 產品時間:2025-04-02
  • 簡要描述:半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900,PL測試是一種無損的測試方法,可以快速、便捷地表征半導體材料的缺陷、雜質以及材料的發光性能。
  • 產品介紹

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

產品概述

PL測試是一種無損的測試方法,可以快速、便捷地表征半導體材料的缺陷、雜質以及材料的發光性能。其主要功能包括:1)組分測定;對三元或四元係合金,如InGaN等,通過PL 峰位確定半導體材料的禁帶寬度,進而確定材料組分X;2)雜質識別;通過葫芦娃污APP中的特征譜線位置,可以識別材料中的雜質元素;3)雜質濃度測定;4)半導體材料的少數載流子壽命測量;5)位錯等缺陷的相關作用研究。

基本原理:

光致發光大致經過光吸收、能量傳遞及光發射三個主要階段,光的吸收及發射都發生於能級之間的躍遷,都經過激發態。而能量傳遞則是由於激發態的運動。光吸收:樣品受到紫外或可見光的照射,導致材料中的電子躍遷到高能態,在價帶留下空穴,電子和空穴各自在導帶和價帶中占據*低激發態,即導帶底和價帶頂,成為準平衡態,也是一種暫態,不穩定狀態,能量傳遞:準平衡態下的電子和空穴複合發光,產生特定波長的光子,激發的電子在一段時間後返回到低能態。光發射:在電子返回低能態的過程中,釋放出能量,以光子的形式發射出來。電子躍遷到不同的低能級,就會發出不同的光子,但是發出的光子能量肯定不會比吸收的能量大。這發射的光子具有不同的波長,可用於研究材料的性質。通過探測光的強度或能量分布得到曲線,形成光致發葫芦娃污APP(PHOTOLU-MINESCENCE SPECTROSCOPY,簡稱PL譜)。

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900


半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900主要應用與功能
組分測定

通過測量光致發光峰位來確定半導體材料的禁帶寬度,從而推斷材料的組成。例如,MAPBIBR:-X 的帶隙隨X值而變化,因為發光的峰值波長取決於禁帶寬度且禁帶寬度和X值有關,因此通過發光峰峰值波長可以測定組分百分比X值。

雜質識別

通過測量材料的光致發光葫芦娃污APP,標定特征譜線的位置,可以識別材料中的雜質元素,以及對雜質濃度進行測定。

位錯缺陷研究

光致發光可以提供有關材料的結構、成分及環境原子排列的信息,是一種非破壞性的、靈敏度高的分析方法。光致發光葫芦娃污APP可以用來研究晶體缺陷,例如離子空位和取代,這對於鈣鈦礦這樣的材料尤其重要。過多的缺陷會導致電子與空穴進行非輻射複合並以熱能的形式耗散,降低材料的光致發光性能以及光伏性能。

載流子壽命研究

可以通過強度相關的光致發光壽命測量,確定載流子擴散的影響以及其對總體壽命的影響。

實測數據
晶圓級半導體光致發葫芦娃污APP測試係統(穩態 / 時間分辨)

Wafer-scale Semiconductor Photoluminescence (PL)

Mapping System (Steady-state / Time-resolved)

針對光電半導體晶圓的發光特性檢測需求,以共聚焦方式在晶圓表麵逐點采集光致發光葫芦娃污APP並成像。

· 整晶圓上的熒光強度、波長、壽命等發光參數的一致性評估

· 雜質、缺陷、組分等對複合機製的影響

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

產品特性和核心技術:

· 激光自動聚焦

· 自主研製的激光輔助離焦量傳感器:

可在光致發葫芦娃污APP測量的同時工作,能夠在全晶圓的範圍內掃描時實現實時地自動聚焦和表麵跟蹤。

· 提供紫外到可見多個不同波長的激光激發,可按用戶需求選配。

· 可選配正方向和側方向雙路熒光接收光路。

· 應對AlGaN等深紫外半導體選擇定則造成的側麵出光情形。

· 全自動操作。

· 提自動化的控製軟件和數據處理軟件,全軟件操作。

性能參數:

熒光激發和收集模塊

激發波長

213/266/375/405 nm

自動對焦

在全掃描範圍自動聚焦和實時表麵跟蹤。

對焦精度<0.2 um。

顯微鏡

可見光物鏡,100 × / 50 × / 20 ×, 用於405 nm激發光。

近紫外物鏡,100 × / 20 ×,用於375 nm激發光。

紫外物鏡,5 ×,用於213 nm / 266 nm的紫外激發光。

樣品移動和掃描平台

平移台

掃描範圍大於300 × 300 mm²。

*小分辨率1 m。

樣品台

8吋吸氣台(12吋可定製)

可兼容2、4、6、8吋晶圓片

葫芦娃污APP儀和探測器

葫芦娃污APP儀

焦長320 mm單色儀,可接麵陣探測器。

葫芦娃污APP分辨率:優於0.2 nm @ 1200 g/mm


熒光壽命測試模塊

熒光壽命測試精度 8 ps,測試範圍50 ps ~ 1 ms

軟件

控製軟件

可選擇區域或指*點位自動進行逐點葫芦娃污APP采集

Mapping數據分析軟件

可對葫芦娃污APP峰位、峰高、半高寬等進行擬合。

可計算熒光壽命、薄膜厚度、翹曲度等。

將擬合結果以二維圖像方式顯示。

· 上述表格中的激光波長、物鏡和單色儀等部件可以根據客戶需求調整。

應用案例:

2英寸綠光InGaN晶圓掃描

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

智能化軟件平台和模塊化設計
· 統一的軟件平台和模塊化設計

· 良好的適配不同的硬件設備:平移台、顯微成像裝置、葫芦娃污APP采集設備、自動聚焦裝置等

· 成熟的功能化模塊:晶圓定位、葫芦娃污APP采集、掃描成像Mapping、3D層析,Raman Mapping,FLIM,PL Mapping,光電流Mapping等。

· 智能化的數據處理模組:與數據擬合、機器學習、人工智能等結合的在線或離線數據處理模組,將葫芦娃污APP解析為成分、元素的分布等,為客戶提供直觀的結果。可根據客戶需求定製葫芦娃污APP數據解析的流程和模組

· 可根據客戶需求進行定製化的界麵設計和定製化的RECIPE流程設計,實現複雜的采集和數據處理功能。

顯微葫芦娃污APP成像控製軟件界麵

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

強大的葫芦娃污APP圖像數據處理軟件VISUALSPECTRA

顯示:針對葫芦娃污APPMapping數據的處理,一次性操作,可對整個圖像數據中的每一條葫芦娃污APP按照設定進行批處理,獲得對應的譜峰、壽命、成分等信息,並以偽彩色或3D圖進行顯示。

顯微葫芦娃污APP成像控製軟件界麵

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

3D顯示

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

基礎處理功能:去本底、曲線平滑、去雜線、去除接譜台階、葫芦娃污APP單位轉化

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

進階功能:葫芦娃污APP歸一化、選區獲取積分、*大、*小、*大/*小值位置等

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

譜峰擬合:采用多種峰形(高斯、洛倫茲、高斯洛倫茲等)對葫芦娃污APP進行多峰擬合,獲取峰強、峰寬、峰位、背景等信息。

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

**功能:應力擬合:針對Si、GaN、SiC等多種材料,從拉曼葫芦娃污APP中解析材料的應力變化,直接獲得應力定量數值,並可根據校正數據進行校正。

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

**功能:應力擬合:針對S1、GAN、SIC等多種材料,從拉曼葫芦娃污APP中解析材料的應力變化,直接獲得應力定量數值,並可根據校正數據進行校正。

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

載流子濃度擬合

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

晶化率擬合

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

熒光壽命擬合

自主開發的一套時間相關單光子計數(TCSPC)熒光壽命的擬合算法,主要特色

1.從上升沿擬合葫芦娃污APP響應函數(IRF),無需實驗獲取。

2.區別於簡單的指數擬合,通過葫芦娃污APP響應函數卷積算法獲得每個組分的熒光壽命,光子數比例,計算評價函數和殘差,可扣除積分和響應係統時間不確定度的影響,獲得更加穩定可靠的壽命數值。

3.*多包含4個時間組分進行擬合。

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

主成分分析和聚類分析

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

每個主成分的譜顯示

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900

主成分的分布圖

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900


主成分聚類處理和分析

半導體晶圓缺陷與少子壽命測試係統-SPM900


留言框

  • 產品:

  • 您的單位:

  • 您的姓名:

  • 聯係電話:

  • 常用郵箱:

  • 省份:

  • 詳細地址:

  • 補充說明:

  • 驗證碼:

    請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7
北京葫芦娃黄色网站儀器有限公司 版權所有    備案號:京ICP備05015148號-4

技術支持:化工儀器網    管理登陸    網站地圖

聯係電話:
010-5637 0168-696

微信服務號

網站地圖