Warning: mkdir(): No space left on device in /www/wwwroot/Z1.com/func.php on line 117

Warning: file_put_contents(./cachefile_yuan/0359qcw.com/cache/a3/654c5/dabcb.html): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/Z1.com/func.php on line 105
LIBS係統:葫芦娃污APP儀與IsCMOS相機的應用案例-北京葫芦娃黄色网站儀器有限公司

葫芦娃黄色网站,葫芦娃污APP,葫芦娃视频APP黄,葫芦娃污视频下载

技術支持

您現在的位置:首頁  >  技術文章  >  LIBS係統:葫芦娃污APP儀與IsCMOS相機的應用案例

LIBS係統:葫芦娃污APP儀與IsCMOS相機的應用案例
更新時間:2024-12-30瀏覽:375次

激光誘導擊穿葫芦娃污APP(Laser-induced breakdown spectroscopy,簡稱LIBS)作為一種近年來隨著激光及葫芦娃污APP學技術的發展而快速興起的新型光學元素分析技術,具有快速實時、可原位檢測及可遠程測量等優勢,被譽為“未來化學分析之星"。

其基本原理為當高能量的激光脈衝聚焦到樣品表麵時,會使樣品表麵的物質瞬間蒸發、電離,形成高溫、高密度的等離子體。這個等離子體包含了樣品中各種元素的離子和電子,這些離子和電子會在極短的時間內(一般在微秒級)發生複合和躍遷等過程,從而發射出具有特定波長的光子。這些光子的波長與等離子體中元素的種類有關,不同元素會發射出不同波長的光,形成特征葫芦娃污APP。LIBS是通過分析其特征發射葫芦娃污APP來分析樣品物性的一種表征手段。

在 LIBS 技術的發展過程中,探測器的性能對於整個係統的探測能力起著至關重要的作用。IsCMOS作為一種先進的探測器,其時間分辨和光子增益功能為 LIBS 技術帶來了顯著的性能提升,使其能夠采集混合在連續背景中的瞬態微弱信號,更好地滿足各種複雜分析任務的需求。

大連理工大學等離子體學科研究中心依托於大連理工大學物理學院、等離子體物理國家重點學科、三束材料改性教育部重點實驗室,致力於磁約束核聚變壁材料LIBS應用研究和激光燒蝕基本物理研究。是國內率*開展先進葫芦娃污APP等離子體診斷研究的團隊之一,發展了多種激光葫芦娃污APP診斷平台,如激光誘導擊穿葫芦娃污APP技術(LIBS)、激光誘導熒光葫芦娃污APP技術(LIF)、激光湯姆遜散射技術(TS)、光腔衰蕩葫芦娃污APP技術(CRDS)、激光散斑幹涉技術(LSI)、太赫茲葫芦娃污APP診斷技術(THz)、飛行時間質譜(TOF),其中多項技術處於國內*先地位。

李聰,大連理工大學物理學院,副教授、博士生導師、大連市先進聚變能源重點實驗室副主任、大連市高層次人才“高*人才"、大連市“青年科技之星"、中國博士後基金特別資助獲得者。參與重大科研項目10餘項,獲遼寧省自然科學二等獎(排二)。在國際知*期刊發表SCI論文70餘篇(第一/通訊20餘篇)、授權中國發明專*10餘項、美國發明專*1項。

近日,在大連理工大學等離子體學科研究中心李聰教授的邀請下,將葫芦娃黄色网站自製的IsCMOS像增強型相機搭配全新推出的Omni-λ300s“影像譜王"光柵葫芦娃污APP儀應用到李聰教授的LIBS係統中,結果如下:

Cu原子在delay:200ns,width:5us下的發射譜線:

img1 

Mo原子在delay:250ns,width:5us下的發射譜線:

img2 

上述數據利用葫芦娃黄色网站全新推出的IsCMOS采集,采用高效超快像增強器,配合>95%量子效率製冷型IsCMOS相機,可實現低噪聲、超快門控拍照。上述特性使其在 LIBS 應用中能夠實現時間分辨葫芦娃污APP采集。

在 LIBS 過程中,等離子體的形成和演化是一個動態過程,不同時刻等離子體的溫度、電子密度等物理參數以及元素的發射葫芦娃污APP特征都有所不同。通過精確控製 IsCMOS的門控時間,可以選擇在等離子體發射葫芦娃污APP信號*強、幹擾最小的特定時刻進行采集。例如,在等離子體形成後的極短時間內,可能存在較強的連續背景輻射,而經過一定時間延遲後,元素的特征譜線發射會更加明顯且背景幹擾降低。IsCMOS能夠根據這一特性,靈活設置門控延遲時間和門寬,獲取不同時間階段的葫芦娃污APP信息,深入研究等離子體的演化過程,進而更精準地分析樣品的元素組成和含量,為 LIBS 技術在動態過程監測和瞬態現象研究等方麵提供了有力手段。

IsCMOS具有超快光學門寬,<3ns陰極光學門寬,內置精度<10ps門寬控製器。下圖為門寬遞進10ps掃描納秒光源圖譜。

img3 

下圖為延時遞進200ps掃描納秒光源圖譜。

img4 

製冷型IsCMOS,芯片製冷溫度低於環境35℃,有效降低芯片暗噪聲。下圖為IsCMOS*低背景基線。

img5

IsCMOS具有2048*2048像素陣列,這使得它能夠在 LIBS 葫芦娃污APP采集過程中實現高葫芦娃污APP分辨率。在 LIBS 分析中,不同元素的特征譜線往往非常接近,高葫芦娃污APP分辨率能夠清晰地分辨這些譜線,從而準確地識別出樣品中所含的各種元素及其含量。例如,對於一些過渡金屬元素,其相鄰的發射譜線可能僅有零點幾納米的波長差,IsCMOS可以精確地捕捉到這些細微的差異,為元素的精確分析提供了有力保障。

下圖為IsCMOS配合卓立全新推出的Omni-λ300S葫芦娃污APP儀,在保證紫外高通光量的前提下,在@2400g/nm光柵時測試分辨率可達0.05nm。此外軟件上優化了校正算法,多峰譜線波長校準,校準後汞燈各峰值精準度<±0.2nm @1200g/nm。

img6 

img7

北京葫芦娃黄色网站儀器有限公司 版權所有    備案號:京ICP備05015148號-4

技術支持:化工儀器網    管理登陸    網站地圖

聯係電話:
010-5637 0168-696

微信服務號

網站地圖